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IPB11N03LAG |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | Infineon Technologies | 168 | 询价QQ: |
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IPB11N03LAG参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK 包装数量:1000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):25V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11.2 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1358pF @ 15V 功率 - 最大值:52W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: Hard Metr1766269-1 同轴,RF1-1337606-0 D-SubD25P13A6UV00LF 同轴,RF1-1337483-0 同轴,RF1-1337579-0 板至板 - 接头,1-5164711-6 板对板 - 阵列,1-5177986-1 DIPND3FR16H 同轴,RF1-1478033-0 同轴,RF1-1337604-0 |